
将MOS管与OptoMOS结合使用,不仅提升了系统性能,也增强了设计灵活性。然而,合理的设计策略对于确保稳定运行至关重要。
在驱动电路中,必须在MOS管栅极与OptoMOS输出之间加入合适的栅极电阻(通常为10Ω~100Ω)。该电阻可抑制振荡、降低电磁干扰(EMI),并限制瞬态电流,保护OptoMOS内部驱动电路。
为避免地线噪声影响,应采用独立的模拟地与数字地,并通过0.1μF陶瓷电容进行高频去耦。同时,建议在电源入口处增加π型滤波网络,提高供电稳定性。
在实际应用中,建议在栅极与源极之间并联一个10kΩ下拉电阻,防止因输入信号悬空导致MOS管误导通;同时可添加TVS二极管以应对静电放电(ESD)和浪涌电压。
以下是一个基于OptoMOS驱动双MOS管的半桥电路设计示例:
该设计广泛应用于伺服驱动、不间断电源(UPS)和光伏逆变器中,展现出优异的动态响应与可靠性。
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