MOSFET，C3M 系列，Cree Inc.新 C3M 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术 在整个工作温度范围内，漏-源击穿电压最小为 1000 V 新低阻抗封装，带驱动器源 漏极与源极之间 8 mm 漏电/间隙 高速切换，具有低输出电容 高阻塞电压，带低漏-源通态电阻 可耐受雪崩 快速固有二极管，带低反向恢复 ### MOSFET 晶体管，Cree Inc.
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 肖特基二极管 |
| 型号编码 | C3M0065100K |
| 说明 | MOSFET，C3M 系列，Cree Inc.新 C3M 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术 在整个工作温度范围内，漏-源击穿电压最小为 1000 V 新低阻抗封装，带驱动器源 漏极与源极之间 8 mm 漏电/间隙 高速切换，具有低输出电容 高阻塞电压，带低漏-源通态电阻 可耐受雪崩 快速固有二极管，带低反向恢复 ### MOSFET 晶体管，Cree Inc. |
| 品牌 | Wolfspeed |
| 封装 | TO-247-4 |
| 分类 | 型号 |
|---|---|
| MOS管 > | C3D06065A |
| 肖特基二极管 > | C4D08120A |
| 肖特基二极管 > | C4D05120E |
| 肖特基二极管 > | C3D30065D |
| 肖特基二极管 > | C4D40120D |
| 肖特基二极管 > | C3D06060G |
| 肖特基二极管 > | CSD01060E |
| 肖特基二极管 > | C3D02060E |
| 肖特基二极管 > | C4D10120D |
| 晶体管 > | CGH40006S |
| 肖特基二极管 > | C3D06060F |
| MOS管 > | C3M0280090D |
| 肖特基二极管 > | C4D10120E |
| 晶体管 > | CGH40090PP |
| C4D05120A | |
| 肖特基二极管 > | C3D02065E |
| 肖特基二极管 > | C3D02060F |
| 肖特基二极管 > | C4D10120A |
| 肖特基二极管 > | C2M0280120D |
| MOS管 > | C4D20120A |
| 肖特基二极管 > | CG2H40010F |
| MOS管 > | C3M0065090J |
| MOS管 > | CAS300M12BM2 |
| MOS管 > | CAS120M12BM2 |
| 中高压MOS管 > | C2M0160120D |
| 中高压MOS管 > | C2M0080120D |
| C2M1000170J | |
| MOS管 > | C3D04060A |
| 肖特基二极管 > | C4D02120E-TR |
| MOS管 > | C3M0065090D |
| 中高压MOS管 > | C2M0040120D |
| 肖特基二极管 > | C3D10060A |
| 肖特基二极管 > | C5D50065D |
| 晶体管 > | CGH40025F |
| MOS管 > | C2M0025120D |
| 肖特基二极管 > | C4D02120E |
| 中高压MOS管 > | C2M1000170D |
| 肖特基二极管 > | C4D20120D |
| 晶体管 > | CGH40010F |
